漢磊科技股份有限公司

歷史資料

105年7月董監事名單：

105年7月最後核准變更日期：105年3月30日變更為105年6月22日

105年7月代表人姓名：黃民奇變更為徐建華

103年4月登記機關：科學工業園區管理局變更為科技部新竹科學工業園區管理局

108年11月所營事業資料：
CC01080 電子零組件製造業
I501010 產品設計業
IZ99990 其他工商服務業(積體電路之測試)
I199990 其他顧問服務業(磊晶應用及半導體雜質分佈研究之諮詢顧問)
F401010 國際貿易業
變更為
CC01080 電子零組件製造業
I501010 產品設計業
IZ99990 其他工商服務業(積體電路之測試)
I199990 其他顧問服務業(磊晶應用及半導體雜質分佈研究之諮詢顧問)
F401010 國際貿易業
(一)
1.磊晶
矽晶片製造及銷售.
2.磊晶應用諮詢顧問服務.
3.半導體雜質分佈研究之諮詢服務.
4.線性積體電路製造服務及測試.
5.混合型積體電路(Mixed Mode IC)之製造及測試.
(二)以下各項目及其應用產品之研究發展製造
設計銷售
推廣及售後服務
1.溝槽式高功率場效電晶體及絕緣閘雙載子電晶體製程.
2.0.5um以下雙載子製程.
3.0.5um以下雙極性互補金氧半導體製程.
4.高功率積體電路製程

108年4月董監事名單：

108年4月最後核准變更日期：108年1月22日變更為108年4月1日

108年4月實收資本額(元)：1,274,000,000變更為1,241,000,000

103年12月董監事名單：

103年12月最後核准變更日期：103年10月17日變更為103年11月11日

103年12月實收資本額(元)：3,266,383,080變更為2,650,000,000

106年6月董監事名單：

106年6月所營事業資料：
CC01080 電子零組件製造業
I501010 產品設計業
IZ99990 其他工商服務業(積體電路之測試)
I199990 其他顧問服務業(磊晶應用及半導體雜質分佈研究之諮詢顧問)
F401010 國際貿易業
（一）
1.磊晶，矽晶片製造及銷售。
2.磊晶應用諮詢顧問服務。
3.半導體雜質分佈研究之諮詢服務。
4.線性積體電路製造服務及測試。
5.混合型積體電路（Ｍixed Ｍode IC）之製造及測試。
u3000以上各項目及其應用產品之研究、發展、設計、製造、銷售、推廣及售後服務。
（二）研究及開發下列製程技術以從事六吋矽晶圓代工服務：
1.溝槽式高功率場效電晶體（Trench Power Mosfet)及絕緣閘雙載子電晶體（IGBT)製程
2. 0.5UM以下雙載子製程（Bipolar)。
3. 0.5UM以下雙極性互補金氧半導體製程(Bicmos)。
4.高功率積體電路製程（BIPOLAR
COMS DIFFUSION：BCD)
變更為
CC01080 電子零組件製造業
I501010 產品設計業
IZ99990 其他工商服務業(積體電路之測試)
I199990 其他顧問服務業(磊晶應用及半導體雜質分佈研究之諮詢顧問)
F401010 國際貿易業
(一)
1.磊晶
矽晶片製造及銷售.
2.磊晶應用諮詢顧問服務.
3.半導體雜質分佈研究之諮詢服務.
4.線性積體電路製造服務及測試.
5.混合型積體電路(Mixed Mode IC)之製造及測試.
(二)以下各項目及其應用產品之研究發展製造
設計銷售
推廣及售後服務
1.溝槽式高功率場效電晶體及絕緣閘雙載子電晶體製程.
2.0.5um以下雙載子製程.
3.0.5um以下雙極性互補金氧半導體製程.
4.高功率積體電路製程

106年6月最後核准變更日期：105年6月22日變更為106年5月25日

106年6月公司所在地：新竹科學工業園區新竹縣寶山鄉創新一路18號變更為新竹科學工業園區

106年6月實收資本額(元)：1,820,000,000變更為800,000,000

109年4月董監事名單：

109年4月最後核准變更日期：108年9月6日變更為109年4月10日

109年4月登記機關：科技部新竹科學工業園區管理局變更為科技部新竹科學園區管理局

109年4月實收資本額(元)：1,246,000,000變更為1,371,000,000

106年8月董監事名單：

106年8月最後核准變更日期：106年5月25日變更為106年8月24日

106年8月實收資本額(元)：800,000,000變更為1,274,000,000

110年4月已發行股份總數(股)：166,100,000變更為57,200,000

110年4月董監事名單：

110年4月最後核准變更日期：110年3月23日變更為110年4月19日

110年4月實收資本額(元)：1,661,000,000變更為572,000,000

110年4月經理人名單：

110年4月最後核准變更日期：109年7月13日變更為110年3月23日

108年10月對於特定事項具否決權特別股：無變更為無

108年10月複數表決權特別股：無變更為無

108年10月章程所訂外文公司名稱：無變更為EPISIL TECHNOLOGIES INC.

108年10月董監事名單：

108年10月所營事業資料：
CC01080 電子零組件製造業
I501010 產品設計業
IZ99990 其他工商服務業(積體電路之測試)
I199990 其他顧問服務業(磊晶應用及半導體雜質分佈研究之諮詢顧問)
F401010 國際貿易業
(一)
1.磊晶
矽晶片製造及銷售.
2.磊晶應用諮詢顧問服務.
3.半導體雜質分佈研究之諮詢服務.
4.線性積體電路製造服務及測試.
5.混合型積體電路(Mixed Mode IC)之製造及測試.
(二)以下各項目及其應用產品之研究發展製造
設計銷售
推廣及售後服務
1.溝槽式高功率場效電晶體及絕緣閘雙載子電晶體製程.
2.0.5um以下雙載子製程.
3.0.5um以下雙極性互補金氧半導體製程.
4.高功率積體電路製程變更為
CC01080 電子零組件製造業
I501010 產品設計業
IZ99990 其他工商服務業(積體電路之測試)
I199990 其他顧問服務業(磊晶應用及半導體雜質分佈研究之諮詢顧問)
F401010 國際貿易業

108年10月最後核准變更日期：108年8月21日變更為108年9月6日

108年10月公司所在地：新竹科學園區變更為新竹科學園區新竹縣創新一路18號

105年1月董監事名單：

105年1月最後核准變更日期：104年10月6日變更為104年12月23日

102年10月經理人名單：

102年10月董監事名單：

102年10月最後核准變更日期：102年7月8日變更為102年9月30日

103年2月董監事名單：

103年2月最後核准變更日期：102年9月30日變更為102年11月6日

108年8月董監事名單：

108年8月最後核准變更日期：108年4月1日變更為108年8月21日

108年8月實收資本額(元)：1,241,000,000變更為1,246,000,000

104年2月經理人名單：

104年2月董監事名單：

104年2月最後核准變更日期：103年11月11日變更為104年1月12日

104年2月實收資本額(元)：2,650,000,000變更為1,300,000,000

104年11月董監事名單：

104年11月最後核准變更日期：104年1月12日變更為104年10月6日

109年6月已發行股份總數(股)：無變更為137,100,000

109年6月每股金額(元)：無變更為10

105年3月董監事名單：

105年3月最後核准變更日期：104年12月23日變更為105年3月30日

105年3月實收資本額(元)：1,300,000,000變更為1,820,000,000

108年2月董監事名單：

108年2月最後核准變更日期：106年8月24日變更為108年1月22日

108年2月公司所在地：新竹科學工業園區變更為新竹科學園區

109年7月已發行股份總數(股)：137,100,000變更為166,100,000

109年7月董監事名單：

109年7月所營事業資料：
CC01080 電子零組件製造業
I501010 產品設計業
IZ99990 其他工商服務業(積體電路之測試)
I199990 其他顧問服務業(磊晶應用及半導體雜質分佈研究之諮詢顧問)
F401010 國際貿易業
(一)
1.磊晶
矽晶片製造及銷售.
2.磊晶應用諮詢顧問服務.
3.半導體雜質分佈研究之諮詢服務.
4.線性積體電路製造服務及測試.
5.混合型積體電路(Mixed Mode IC)之製造及測試.
(二)以下各項目及其應用產品之研究發展製造
設計銷售
推廣及售後服務
1.溝槽式高功率場效電晶體及絕緣閘雙載子電晶體製程.
2.0.5um以下雙載子製程.
3.0.5um以下雙極性互補金氧半導體製程.
4.高功率積體電路製程變更為
CC01080 電子零組件製造業
I501010 產品設計業
IZ99990 其他工商服務業(線性積體電路及混合型積體電路之測試)
I199990 其他顧問服務業(磊晶應用諮詢顧問服務及半導體雜質分佈研究之諮詢服務)
F401010 國際貿易業
(一)1、磊晶
矽晶片製造及銷售.
2、磊晶應用諮詢顧問服務.
3、半導體雜質分佈研究之諮詢服務.
4、線性積體電路製造服務及測試.
5、混合型積體電路(Mixed Mode IC)之製造及測試.
以上各項目及其應用產品之研究發展、設計、製造、銷售、推廣及售後服務
(二)研究及開發下列製程技術以從事六吋矽晶圓代工服務：
1、溝槽式高功率場效電晶體(Trench Power MOSFET)及絕緣閘雙載子電晶體(IGBT)製程.
2、0.5um以下雙載子製程(Bipolar).
3、0.5um以下雙極性互補金氧半導體製程(Bicmos).
4、高功率積體電路製程(Bipolar CMOS
Diffusion; BCD).

109年7月最後核准變更日期：109年4月10日變更為109年7月13日

109年7月實收資本額(元)：1,371,000,000變更為1,661,000,000

103年11月董監事名單：

103年11月最後核准變更日期：102年11月6日變更為103年10月17日

103年11月公司所在地：新竹科學工業園區新竹縣寶山鄉創新一路3號變更為新竹科學工業園區新竹縣寶山鄉創新一路18號

102年9月董監事名單：

102年9月最後核准變更日期：101年7月5日變更為102年7月8日